Toote kirjeldus:

Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company pakub kvaliteetseid indiumfosfiidi (InP) vahvleid kui peamist pooljuhtmaterjali, mida kasutatakse telekommunikatsiooni ja mikroelektroonika valdkonnas. InP võib töötada suure võimsuse ja temperatuuri juures. InP-d kasutatakse kiudoptilises sides, traadita võrgus (WLAN), mobiiltelefonides, Blue Tooth sides, satelliitsides, monoliitses mikrolaine-integraallülituses (MMIC) ja raadiosageduslikus integraallülituses (RFIC).

Üksus	Üksus	Poolisoleeriv Tehnilised andmed	Pooljuht Tehnilised andmed
Käitumise tüüp			(n-tüüp)		(p-tüüp)
Kristallide kasvatamise meetod		VGF	VGF
Dopant		Fe	S,Sn	Dopinguta		Zn
Läbimõõt	tolline	2",3",4"	2",3 kraadi, 4"
Vahvli suund*		(100)±0,5 kraadi	(100)±0,5 kraadi
KOHTA/IF		USA, EJ	USA, EJ
Takistus (RT juures)	ohm.cm	Suurem kui 0,5 × 10 või sellega võrdne⁷	-- -- --
Kandja kontsentratsioon	Cm^-3	--	(0.8-8)×10¹⁸	(1-10)×10¹⁵		(0.8-8)×10¹⁸
Liikuvus	cm²/vs	Suurem kui 1000 või sellega võrdne	1000-2500	3000-5000		50-100
Etch Pit Density (EPD)	cm²	Vähem kui 5000 või sellega võrdne	Vähem kui 5000 või sellega võrdne	Vähem kui 5000 või sellega võrdne		Vähem kui 500 või sellega võrdne
Lasermärgistus		Soovi korral	Soovi korral
Paksus*	μm	(350-675)±25	(350-675)±25
TTV (PIP)	μm	Vähem kui 10 või sellega võrdne	Vähem kui 10 või sellega võrdne
TTV (P/E)	μm	Vähem kui 15 või sellega võrdne	Vähem kui 15 või sellega võrdne
lõime	μm	Vähem kui 15 või sellega võrdne	Vähem kui 15 või sellega võrdne
Pind	Külg 1	Poleeritud/söövitatud	Poleeritud/söövitatud
Pind	külg 2	Poleeritud/söövitatud	Poleeritud/söövitatud
Epi-valmis		Jah	Jah
pakett		Kassett või üksik vahvlimahuti	Kassett või üksik vahvlimahuti

Soovi korral on saadaval vahvlite orientatsioon ja paksus.

Kuum tags: 2", 3" ja 4" sisemine substraat, Hiina 2", 3" ja 4" sisemine substraadi tootjad, tarnijad, tehas

2", 3" ja 4" InP substraat

Toote kirjeldus: