GaAs vahvel või GaAs substraatvahv. 2" GaAs vahvel, 3" GaAs vahvel, 4" GaAs vahvel, 6" GaAs vahvel

GaAs vahvel VCSELile, GaAs vahvel LD-le, GaAs vahvel LED-ile, GaAs vahvel mikroelektroonikale.

GaAs substraadi vahvlid
ÜKSUSE	Üksus	LD rakenduste spetsifikatsioonid	LED-rakenduste spetsifikatsioonid	Mikroelektroonika spetsifikatsioonid
Käitumise tüüp		n-tüüpi	p-tüüp/n-tüüp	-
Kristallide kasvatamise meetod		VGF	VGF	VGF
Dopant		Si	Zn/Si	Dopinguta
Läbimõõt	tolline	2",3",4"ja 6"	2",3",4"ja 6"	2",3",4"ja 6"
Vahvlite orientatsioon		(100)±0,1 kraadi	(100)±0,5 kraadi	(100)±0,5 kraadi
KOHTA/IF		USA või EJ	USA või EJ	US, EJ või sälk
Carrire kontsentratsioon	/cm³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Takistus (RT juures)	ohm.cm	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Liikuvus	cm²/vs	>1500	5-120/>1000	>4000
Etch Pit Density (EPD)	/cm²	<500	<5000	<5000
Lasermärgistus		Soovi korral	Soovi korral	Soovi korral
Paksus	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV (P/P)	μm	Väiksem või võrdne 5-ga	Väiksem või võrdne 5-ga	Väiksem või võrdne 4-ga
TTV (P/E)	μm	Vähem kui 10 või sellega võrdne	Vähem kui 10 või sellega võrdne	Vähem kui 10 või sellega võrdne
lõime	μm	Vähem kui 10 või sellega võrdne	Vähem kui 10 või sellega võrdne	Vähem kui 10 või sellega võrdne
Pind	Külg 1 külg 2	Poleeritud Poleeritud/söövitatud	Poleeritud Poleeritud/söövitatud	Poleeritud Poleeritud/söövitatud
Epi-valmis		Jah	Jah	Jah
pakett		Kassett või üksik vahvlimahuti	Kassett või üksik vahvlimahuti	Kassett või üksik vahvlimahuti
* Vahvli paksust ja suunda saab määrata.